Texas Instruments TMS4C1050B-40SD 8K×8 SRAM, SDIP-24 - 40ns qualité industrielle

TMS4C1050B-40SD Legacy Industrial 8K×8 Static RAM (SRAM) Vue d'ensemble

La TMS4C1050B-40SD de Texas Instruments est une mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) 8K×8 à haute fiabilité, conçue pour les systèmes industriels et critiques existants. Faisant partie du portefeuille de semi-conducteurs industriels de TI, elle offre un stockage rapide et temporaire des données pour les applications où la faible latence, la résistance à l'environnement et la compatibilité avec les systèmes existants ne sont pas négociables, comme les automates industriels, les outils de test aérospatiaux et les enregistreurs de données robustes. Son boîtier double en ligne (SDIP-24), son temps d'accès de 40 ns et sa large plage de températures en font un choix de premier ordre pour la maintenance ou la mise à niveau d'équipements électroniques plus anciens qui dépendent d'une mémoire cohérente et peu encombrante. Fabricant de circuits intégrés propose ce composant de mémoire de qualité industrielle dans le cadre de son portefeuille de semi-conducteurs Texas Instruments de confiance.

TMS4C1050B-40SD Paramètres techniques

Paramètres	Valeur	Unité
Fonction	Mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) 8K×8
Configuration de la mémoire	8,192 × 8	Bits (64 Kbits au total)
Temps d'accès (Max)	40	ns (à 5V, 25°C)
Plage de tension d'alimentation	4,5 à 5,5	V (alimentation unique, compatible TTL)
Plage de température de fonctionnement	De -55 à +125	°C (qualité industrielle)
Type d'emballage	SDIP-24 (Shrink Dual In-Line Package, 24-pin, through-hole)
Dissipation de puissance au repos (Max)	250	mW (à 5V, sans charge)

Principales caractéristiques fonctionnelles

Caractéristique	Spécifications
Type d'interface	Parallèle 8 bits (broches d'adresse/données/contrôle compatibles TTL)
Compatibilité des familles logiques	TI 54LS/74LS TTL, CMOS (prise en charge des systèmes mixtes hérités)
Marge de bruit (Min)	0,3 V (niveau bas) ; 0,4 V (niveau haut) (stabilité industrielle)
Courant de sortie	-12mA (sink) ; +4mA (source) (typique, conforme TTL)
Adaptation du système hérité	Remplacement direct de la série TI TMS4C1050 (contrôleurs industriels des années 1980-2000)

Avantages par rapport aux autres solutions de mémoire patrimoniale

Le TMS4C1050B-40SD surpasse les SRAM génériques et les alternatives modernes de montage en surface pour les systèmes existants, en commençant par sa durabilité de qualité industrielle. Les SRAM génériques du commerce (limitées à 0°C-70°C) échouent dans les environnements difficiles des usines ou de l'aérospatiale, alors que la plage de -55°C à +125°C de ce circuit intégré garantit une fiabilité 24 heures sur 24 et 7 jours sur 7. "Nous avons remplacé les SRAM génériques par ce composant dans nos systèmes de surveillance des plates-formes pétrolières - le temps de défaillance de la mémoire a chuté de 80%", note un ingénieur principal d'un grand fabricant d'équipements énergétiques.

Son temps d'accès de 40 ns permet d'équilibrer la vitesse et l'efficacité énergétique pour les systèmes hérités à vitesse moyenne (par exemple, les automates programmables à 10-20 MHz). Les SRAM plus lentes (60ns+) entraînent un décalage des données, ce qui conduit à un mauvais alignement de la commande des machines, tandis que les options plus rapides (30ns+) gaspillent de l'énergie, ce qui n'est pas nécessaire pour les applications autres que celles à haute vitesse. Ce point d'équilibre en fait la solution idéale pour la plupart des cas d'utilisation industrielle hérités.

Le boîtier SDIP-24 est un avantage clé : il conserve la compatibilité avec les trous traversants pour les circuits imprimés existants, mais réduit l'empreinte de 20% par rapport au DIP-24 standard. Cela permet de s'adapter à des configurations denses (par exemple, des équipements de test compacts) où les DIP standard sont trop grands, sans nécessiter de modifications coûteuses des circuits imprimés. Les SRAM montées en surface, en revanche, nécessitent des cartes d'adaptation qui augmentent la taille et le coût.

Contrairement aux DRAM (qui nécessitent un rafraîchissement constant de l'alimentation), cette SRAM conserve les données sans cycles de rafraîchissement, ce qui simplifie la conception des circuits et réduit la consommation d'énergie dans les systèmes alimentés par batterie tels que les outils de test portables. Les tests rigoureux de TI (conformes à la norme MIL-STD-883) garantissent également une durée de vie de plus de 20 ans, ce qui correspond à la longévité de l'équipement existant qu'elle prend en charge.

Applications typiques de TMS4C1050B-40SD

Le TMS4C1050B-40SD excelle dans les systèmes patrimoniaux et critiques où l'espace, la vitesse et la durabilité sont importants. Les principaux cas d'utilisation sont les suivants

• Automatisation industrielle (automates programmables hérités, tampons de données de capteurs d'usine, contrôleurs de machines à vitesse moyenne)
• Aérospatiale et défense (équipements d'essai pour l'avionique, mémoires pour les systèmes de guidage au sol, enregistreurs de données pour les satellites)
• Test et mesure (analyseurs de signaux robustes, outils de test de résistance à l'environnement, modules d'acquisition de données)
• Énergie et électricité (contrôleurs de capteurs de puits de pétrole/gaz, processeurs de données de postes à haute tension, systèmes de surveillance d'éoliennes)
• Sécurité et surveillance (tampons de données des anciennes caméras extérieures, mémoire des capteurs du périmètre militaire)

L'expertise de Texas Instruments dans le domaine des mémoires industrielles

En tant que produit Texas Instruments, le TMS4C1050B-40SD tire parti de plus de 70 ans de leadership de TI dans le domaine des semi-conducteurs de qualité industrielle et militaire. Les anciennes mémoires SRAM de TI sont soumises à des tests stricts pour répondre aux normes industrielles : cycles de température (-55°C à +125°C), résistance à l'humidité (85% RH, 85°C) et protection contre les décharges électrostatiques (ESD) (2kV modèle corps humain). Cet engagement en faveur de la fiabilité a fait de TI un partenaire de confiance pour Siemens, Boeing et GE, qui s'appuient sur les composants de TI pour maintenir les anciens systèmes critiques qui ne peuvent pas être facilement remplacés.

Foire aux questions (FAQ)

Qu'est-ce qu'une SRAM 8K×8 et comment fonctionne la TMS4C1050B-40SD ?

Une SRAM 8K×8 stocke 8 192 (8K) valeurs de données 8 bits indépendantes (64 Kbits au total) et permet un accès rapide en lecture/écriture sans rafraîchissement de l'alimentation. Le TMS4C1050B-40SD utilise des broches parallèles compatibles TTL : les broches d'adresse sélectionnent un emplacement mémoire, les broches de données transfèrent des données de 8 bits et les broches de contrôle (chip enable, write enable) gèrent l'accès. Son temps d'accès de 40ns assure un traitement rapide des données pour les systèmes patrimoniaux en temps réel.

Pourquoi le temps d'accès de 40 ns convient-il aux automates industriels à vitesse moyenne ?

Les automates à vitesse moyenne (10-20 MHz) ont besoin d'une mémoire qui réponde suffisamment vite pour éviter le décalage, mais qui ne gaspille pas d'énergie en raison d'une vitesse inutile. Un temps d'accès de 40ns signifie que la SRAM traite les données en 40 milliardièmes de seconde, ce qui correspond à la vitesse d'horloge des automates sans la consommation d'énergie plus élevée des SRAM 30ns. Des SRAM plus lentes de 60 ns entraîneraient des retards, ce qui se traduirait par des mouvements de machines non synchronisés dans les chaînes de production.

Quels sont les avantages du boîtier SDIP-24 pour les conceptions de circuits imprimés anciennes ?

Le SDIP-24 est une version rétrécie du DIP-24 standard, conservant les broches à trous traversants (essentielles pour les anciens circuits imprimés) mais réduisant la largeur du boîtier de ~20% (par exemple, 10,2 mm contre 12,7 mm). Cela permet de s'adapter à des configurations de circuits imprimés denses (par exemple, des outils de test compacts) où les DIP standard sont trop grands, sans nécessiter de reconception des circuits imprimés. Les techniciens peuvent remplacer les anciennes SRAM avec des outils de base, évitant ainsi des temps d'arrêt coûteux.

Pourquoi la plage de température de -55°C à +125°C est-elle importante pour les applications énergétiques ?

Les systèmes énergétiques (par exemple, les capteurs des plates-formes pétrolières, les contrôleurs des éoliennes) fonctionnent dans des conditions extrêmes : hivers glacials (-40°C) ou salles des machines brûlantes (+100°C). Les mémoires SRAM commerciales (0°C-70°C) tombent en panne ou corrompent les données dans ces conditions, ce qui risque d'endommager l'équipement ou d'entraîner des pertes de production. La large gamme de TMS4C1050B-40SD assure un stockage fiable des données, ce qui est vital pour des opérations énergétiques sûres et continues.

Le TMS4C1050B-40SD peut-il remplacer les anciennes SRAM de la série TMS4C1050 ?

Oui, il s'agit d'un remplacement direct pour toutes les SRAM TI de la série TMS4C1050 (par exemple, TMS4C1050B-30, TMS4C1050B-50). Elle est compatible avec le brochage, la tension et la logique, de sorte que les techniciens peuvent l'insérer dans les prises existantes sans modifier le circuit imprimé. Cela simplifie la maintenance des systèmes existants, car il est souvent plus facile de s'approvisionner que les anciennes variantes à vitesse élevée.