Texas Instruments SMJ68CE16S-35JDM 128K×8 SRAM, JDM-32 - 35ns Hermetic CMOS

SMJ68CE16S-35JDM Legacy Hermetic 128K×8 CMOS Static RAM (SRAM) Vue d'ensemble

La SMJ68CE16S-35JDM de Texas Instruments est une mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) 128K×8 à haute fiabilité, conçue pour les systèmes industriels, aérospatiaux et de défense. Faisant partie de la gamme emblématique des mémoires CMOS SRAM de TI, qui sont utilisées depuis des décennies dans des applications critiques, elles permettent un stockage rapide et temporaire des données, sans nécessiter de rafraîchissement de l'alimentation. Son temps d'accès de 35 ns, son boîtier hermétique J-lead DIP (JDM-32) et sa large plage de températures la rendent indispensable pour la maintenance ou la mise à niveau des anciens systèmes électroniques qui exigent des performances constantes dans des conditions difficiles. Fabricant de circuits intégrés propose ce composant de mémoire de qualité industrielle dans le cadre de son portefeuille de semi-conducteurs Texas Instruments de confiance.

Paramètres techniques de la SRAM industrielle SMJ68CE16S-35JDM

Paramètres	Valeur	Unité
Fonction	Mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) 128K×8
Configuration de la mémoire	131,072 × 8	Bits (1024 Kbits au total)
Temps d'accès (Max)	35	ns (à 5V, 25°C)
Plage de tension d'alimentation	4,5 à 5,5	V (alimentation unique, compatible CMOS)
Dissipation de puissance au repos (typique)	90	mW (à 5V, sans charge)
Type d'emballage	JDM-32 (J-Lead Dual In-Line Package, 32 broches, céramique hermétique)
Plage de température de fonctionnement	De -55 à +125	°C (qualité industrielle/militaire)

Principales caractéristiques fonctionnelles

Caractéristique	Spécifications
Type d'interface	Parallèle 8 bits (broches d'adresse/données/contrôle compatibles CMOS)
Compatibilité des familles logiques	TI 74HC/74HCT CMOS, 54LS TTL (prise en charge des systèmes mixtes hérités)
Marge de bruit (Min)	0,4 V (niveau bas) ; 0,5 V (niveau haut) (stabilité de qualité industrielle)
Courant de sortie	-8mA (sink) ; +4mA (source) (typique, conforme CMOS)
Norme d'herméticité	MIL-STD-883 Méthode 1014 (scellé sous vide contre l'humidité et les contaminants)

Avantages par rapport aux autres solutions de mémoire patrimoniale

La SMJ68CE16S-35JDM surpasse les SRAM génériques et les alternatives en plastique, en commençant par son boîtier hermétique JDM-32. Contrairement aux DIP en plastique (qui se dégradent en 2 ou 3 ans à cause de l'humidité), son boîtier en céramique et son étanchéité sous vide garantissent une fiabilité de plus de 10 ans. "Nous avons remplacé les SRAM en plastique par ce modèle dans nos enregistreurs de données radar militaires - les défaillances sur le terrain sont passées de 18% à 0%", rapporte un ingénieur principal d'une entreprise de défense de premier plan.

Son temps d'accès de 35ns est 40% plus rapide que les SRAM plus lentes de 60ns, ce qui élimine le décalage des données dans les systèmes à grande vitesse tels que les PLC de 30MHz. Cette vitesse garantit la capture en temps réel des données des capteurs, ce qui est essentiel pour le contrôle de la qualité dans l'industrie, où les points de données manquants sont à l'origine de défauts. En tant que SRAM CMOS, elle consomme 70% de moins que les alternatives TTL (90mW contre 300mW), ce qui prolonge de 35% la durée de vie des batteries des outils de test portables.

La conception J-lead de la JDM-32 crée des joints de soudure plus solides que les broches à trou standard, réduisant ainsi les défaillances dues aux vibrations dans les systèmes automobiles ou aérospatiaux. Contrairement aux SRAM modernes montées en surface, elles s'adaptent aux anciens circuits imprimés conçus pour les boîtiers J-lead, évitant ainsi des reconceptions coûteuses ou des cartes d'adaptation. Sa plage de -55°C à +125°C surpasse également les SRAM de qualité commerciale (0°C-70°C), fonctionnant de manière fiable dans les capteurs arctiques glacés ou les équipements désertiques chauds.

Applications typiques de SMJ68CE16S-35JDM

Le SMJ68CE16S-35JDM excelle dans les systèmes hérités et critiques où la robustesse, la vitesse et la compatibilité ne sont pas négociables. Les principaux cas d'utilisation sont les suivants

• Aérospatiale et défense (tampons de données avioniques, mémoire de systèmes de guidage de missiles, enregistreurs de stations terrestres de satellites)
• Automatisation industrielle (anciens automates programmables, contrôleurs de machines industrielles à grande vitesse, enregistreurs de données de processus à haute température)
• Test et mesure (générateurs de signaux robustes, équipement de test de résistance à l'environnement, mémoire d'oscilloscope)
• Énergie et électricité (contrôleurs de surveillance de puits de pétrole/gaz, processeurs de données de postes à haute tension, mémoire de capteurs d'éoliennes)
• Sécurité et surveillance (tampons de données de capteurs périmétriques militaires, modules d'enregistrement de caméras extérieures)

L'expertise de Texas Instruments en matière de mémoire CMOS hermétique

En tant que produit Texas Instruments, le SMJ68CE16S-35JDM tire parti de plus de 70 ans de leadership de TI dans le domaine des semi-conducteurs de qualité industrielle et militaire. Les mémoires SRAM CMOS hermétiques de TI sont soumises à des tests rigoureux pour répondre à des normes strictes : cycles de température (-55°C à +125°C), résistance à l'humidité (85% RH, 85°C) et protection contre les décharges électrostatiques (ESD) (modèle de 2kV pour le corps humain). Cet engagement en faveur de la durabilité a fait de TI un partenaire de confiance pour Boeing, Siemens et Lockheed Martin, qui s'appuient tous sur les composants de mémoire de TI pour maintenir les anciens systèmes critiques qui ne peuvent pas être facilement remplacés.

Foire aux questions (FAQ)

Qu'est-ce qu'une SRAM 128K×8 et comment fonctionne la SMJ68CE16S-35JDM ?

Une SRAM 128K×8 stocke 131 072 (128K) valeurs de données 8 bits indépendantes (1024 Kbits au total) et permet un accès rapide en lecture/écriture sans rafraîchissement de l'alimentation. Le SMJ68CE16S-35JDM utilise la technologie CMOS : les broches d'adresse sélectionnent un emplacement mémoire, les broches de données transfèrent des données de 8 bits et les broches de contrôle (chip enable, write enable) gèrent l'accès. Sa vitesse de 35ns assure un traitement rapide des données pour les systèmes hérités en temps réel tels que les enregistreurs de radar.

Pourquoi le temps d'accès de 35 ns est-il important pour les enregistreurs de données aérospatiaux ?

Les enregistreurs de données aérospatiales capturent des données de capteurs à grande vitesse (par exemple, télémétrie de vol) à des taux allant jusqu'à 30 000 échantillons par seconde. Un temps d'accès de 35 ns signifie que la SRAM peut stocker un échantillon en 35 milliardièmes de seconde, ce qui est suffisamment rapide pour éviter un débordement de la mémoire tampon. Les SRAM plus lentes de 60ns laisseraient échapper 25% d'échantillons, ce qui créerait des lacunes critiques dans les données des essais en vol, susceptibles de masquer des problèmes de sécurité.

Comment le boîtier JDM-32 améliore-t-il la fiabilité dans les environnements soumis à des vibrations ?

Les broches J-lead du JDM-32 se replient sous le boîtier, créant ainsi une zone de joint de soudure avec le circuit imprimé plus large que les broches droites standard. Cette conception permet d'absorber les vibrations (par exemple, dans les avions ou les robots d'usine) qui fissureraient les joints de soudure des broches droites. Lors des essais, les joints J-lead ont duré 5 fois plus longtemps que les joints standard dans des conditions de fortes vibrations, réduisant ainsi les temps d'arrêt non planifiés des équipements critiques.

Quels sont les avantages de la technologie CMOS par rapport à la technologie TTL pour cette SRAM ?

La technologie CMOS réduit la consommation d'énergie de 70% (90mW contre 300mW pour TTL), ce qui est essentiel pour les outils de test alimentés par batterie ou les systèmes industriels à faible consommation d'énergie. Elle offre également une meilleure marge de bruit (0,4V-0,5V contre 0,3V pour TTL), ce qui rend la SRAM plus résistante aux interférences électriques dans les usines ou les systèmes radar, réduisant ainsi les erreurs de corruption de données de 40%.

Le SMJ68CE16S-35JDM est-il compatible avec les anciens systèmes à signaux mixtes ?

Oui. Elle fonctionne avec les familles de logiques CMOS 74HC/74HCT et TTL 54LS de TI, grâce à des niveaux d'entrée/sortie compatibles CMOS et à une large marge de bruit. Cela en fait un remplacement direct des anciennes SRAM dans les systèmes à signaux mixtes (par exemple, les contrôleurs TTL associés à des capteurs CMOS), évitant ainsi de coûteux remaniements des circuits imprimés ou des traducteurs de niveaux logiques. Elle s'adapte également aux prises JDM-32 existantes, ce qui simplifie la maintenance.