STD45P4LLF6AG STMicroelectronics MOSFET de canal N de 45 V, MOSFET de potencia, encapsulado TO-220

  • Este dispositivo proporciona una conversión de potencia eficiente, permitiendo un funcionamiento estable en diversos sistemas electrónicos.
  • Funcionar a una frecuencia de conmutación adecuada para minimizar las interferencias electromagnéticas mejora el rendimiento general del sistema.
  • El tipo de encapsulado compacto permite ahorrar espacio en la placa e integrarlo en diseños de superficie limitada.
  • Ideal para fuentes de alimentación integradas en equipos industriales, garantiza un suministro de energía constante con cargas variables.
  • Fabricado con estrictos controles de calidad, mantiene la fiabilidad durante largos periodos de funcionamiento.
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Visión general de STD45P4LLF6AG

El STD45P4LLF6AG es un MOSFET de canal P de alto rendimiento diseñado para la conmutación y gestión eficientes de la potencia en aplicaciones industriales y de automoción. Gracias a su baja resistencia a la conexión y su rápida capacidad de conmutación, este dispositivo mejora la eficiencia energética y el rendimiento térmico. Su robusta construcción garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes, lo que lo convierte en la opción ideal para la conmutación de cargas, convertidores CC-CC y circuitos de control de motores. Procedente de una reputada Fabricante de CI, este componente permite a los ingenieros optimizar el rendimiento del sistema manteniendo al mismo tiempo una sólida seguridad de funcionamiento.

Especificaciones técnicas STD45P4LLF6AG

Parámetro Especificación
Tipo MOSFET de canal P
Tensión de drenaje-fuente (VDS) -40 V
Corriente de drenaje continua (ID) -45 A (a 25°C)
Tensión de umbral de puerta (VGS(th)) -2,0 V (típico)
Resistencia a la conexión (RDS(on)) 6.5 m?? (máx.) a VGS = -10 V
Carga total de la puerta (Qg) 21 nC (típico)
Resistencia térmica de la unión al ambiente (RJA) 35 °C
Temperatura de funcionamiento De -55 °C a +150 °C
Paquete LFPAK56

STD45P4LLF6AG Características principales

  • Baja resistencia a la conexión: Minimiza las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia global del sistema y reduciendo la generación de calor.
  • Alta capacidad de manejo de corriente: Admite corrientes de drenaje continuas de hasta 45 A, lo que permite su uso en aplicaciones de potencia exigentes.
  • Rendimiento de conmutación rápida: La baja carga de puerta mejora la velocidad de conmutación, lo que resulta beneficioso para convertidores CC-CC de alta frecuencia y accionamientos de motor PWM.
  • Características térmicas robustas: La eficaz disipación del calor garantiza un funcionamiento fiable en condiciones de temperatura elevada.

Aplicaciones típicas

  • Conmutación de cargas en sistemas de gestión de energía para automóviles, donde la durabilidad y la eficiencia son fundamentales para el control de baterías y subsistemas.
  • Convertidores CC-CC para fuentes de alimentación industriales que requieren dispositivos de conmutación eficientes de alta corriente.
  • Circuitos de control de motores, incluidos los motores de corriente continua sin escobillas, que se benefician de una conmutación rápida y bajas pérdidas de conducción.
  • Gestión de la alimentación en equipos de telecomunicaciones, para un funcionamiento fiable en entornos compactos y sensibles al calor.

STD45P4LLF6AG Ventajas frente a alternativas típicas

Este MOSFET ofrece una ventaja competitiva gracias a su combinación de baja resistencia a la conexión y alta capacidad de corriente, lo que proporciona una eficiencia energética y una gestión térmica superiores a las alternativas comunes. Su rápida conmutación y baja carga de puerta reducen las pérdidas de conmutación, lo que permite un funcionamiento a mayor frecuencia con menor acumulación de calor. El robusto encapsulado y el amplio rango de temperaturas de funcionamiento mejoran la fiabilidad en entornos industriales y de automoción adversos, lo que lo convierte en una opción fiable para los ingenieros que buscan un rendimiento y una durabilidad optimizados.

STD45P4LLF6AG Información de la marca

El STD45P4LLF6AG está fabricado por STMicroelectronics, líder mundial en soluciones de semiconductores para la industria, la automoción y la electrónica de consumo. Conocida por su innovación y calidad, STMicroelectronics diseña y produce una amplia gama de MOSFET de potencia diseñados para ofrecer eficiencia, fiabilidad y facilidad de integración. Este dispositivo refleja el compromiso de la empresa por ofrecer soluciones de gestión de potencia de última generación con tecnologías de semiconductores avanzadas.

PREGUNTAS FRECUENTES

¿Cuál es la tensión nominal máxima de drenaje-fuente de este MOSFET?

La tensión máxima de drenaje-fuente (VDS) es de -40 voltios, lo que significa que el dispositivo puede bloquear con seguridad tensiones de hasta 40 V en estado desactivado sin avería, lo que resulta adecuado para una gran variedad de aplicaciones de alimentación de baja tensión.

¿Cómo beneficia la baja on-resistencia al rendimiento del sistema?

La baja resistencia a la conexión reduce la caída de tensión en el MOS

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