MRFX1K80GNR5 Leistungs-MOSFET-Transistor, hoher Wirkungsgrad, TO-220-Gehäuse

MRFX1K80GNR5 Übersicht

Der MRFX1K80GNR5 ist ein Hochleistungs-Leistungs-MOSFET, der für effizientes Schalten und robustes Leistungsmanagement in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er wurde für optimierte Leitungs- und Schalteigenschaften entwickelt und unterstützt Anwendungen, die einen niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern, was eine verbesserte Systemeffizienz und ein besseres Wärmemanagement ermöglicht. Mit seinem kompakten Gehäuse und seinem zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen ist dieser Baustein ideal für Ingenieure, die nach zuverlässigen Halbleiterlösungen für Leistungsumwandlung, Motorsteuerung und Systeme für erneuerbare Energien suchen. Erhältlich über IC-HerstellerEs fügt sich nahtlos in moderne elektronische Designs ein, die eine gleichbleibende Leistung und Langlebigkeit erfordern.

MRFX1K80GNR5 Technische Daten

Parameter	Spezifikation
Maximale Drain-Source-Spannung (VDS)	80 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (ID) bei 25° C	50 A
RDS(ein) (Max) bei VGS = 10 V	1.0 m??
Gate-Schwellenspannung (VGS(th))	1,5 ?C 3,0 V
Gesamte Gate-Ladung (Qg)	60 nC
Verlustleistung (PD)	150 W
Betriebstemperaturbereich	C55°C bis +175°C
Paket Typ	TO-220

MRFX1K80GNR5 Hauptmerkmale

• Niedriger On-Widerstand: Das Gerät weist einen maximalen R_DS(ein) von 1,0 m??, was geringere Leitungsverluste und eine verbesserte Energieeffizienz bei Leistungsschaltanwendungen ermöglicht.
• Hohe Strombelastbarkeit: Unterstützt kontinuierliche Ableitströme von bis zu 50 A bei 25 °C und ist damit für anspruchsvolle Leistungsstufen und Motorsteuerungsschaltungen geeignet.
• Schnelle Umschaltleistung: Mit einer Gesamt-Gate-Ladung von nur 60 nC sorgt er für schnelle Schaltübergänge, minimiert die Schaltverluste und verbessert die Gesamtleistung des Systems.
• Robuste Wärmebehandlung: Das Gerät unterstützt eine Verlustleistung von bis zu 150 W und einen erweiterten Betriebstemperaturbereich, was einen zuverlässigen Betrieb in rauen Industrieumgebungen gewährleistet.

MRFX1K80GNR5 Vorteile gegenüber typischen Alternativen

Dieser Leistungs-MOSFET bietet durch seine Kombination aus niedrigem Durchlasswiderstand, hoher Strombelastbarkeit und schnellen Schalteigenschaften eine hervorragende Leistung. Im Vergleich zu typischen Alternativen bietet er eine verbesserte Effizienz und Zuverlässigkeit, reduziert die thermische Belastung und verbessert die Systemintegration. Das robuste Gehäuse und der weite Temperaturbereich sorgen für einen konsistenten Betrieb in industriellen Umgebungen und machen ihn zu einer bevorzugten Wahl für Ingenieure, die auf Leistungsdichte und langfristige Haltbarkeit Wert legen.

Typische Anwendungen

• Leistungswandler und Umrichter für industrielle Motorantriebe, bei denen effizientes Schalten und thermische Stabilität entscheidend für einen leistungsstarken Betrieb und Energieeinsparungen sind.
• Systeme für erneuerbare Energien wie Solarwechselrichter und Windkraftregler, die zuverlässige Hochstrom-Schaltkomponenten unter variablen Umweltbedingungen erfordern.
• Power-Management-Module in unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), die eine saubere und stabile Stromversorgung mit minimalen Verlusten gewährleisten.
• Schaltnetzteile (SMPS) für industrielle Automatisierungsgeräte, die kompakte, effiziente und thermisch robuste MOSFET-Lösungen erfordern.

MRFX1K80GNR5 Markeninfo

Dieser Leistungs-MOSFET ist Teil eines umfassenden Portfolios eines führenden Halbleiterherstellers, der dafür bekannt ist, innovative und hochwertige diskrete Bauelemente für industrielle Anwendungen zu liefern. Das Produkt kombiniert fortschrittliche Silizium-Prozesstechnologie mit strenger Qualitätskontrolle und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung der Bauteile. Es wurde mit Blick auf die Bedürfnisse von Leistungselektronikern entwickelt und unterstützt eine breite Palette anspruchsvoller Anwendungen, indem es elektrische Leistung mit thermischer und mechanischer Robustheit in Einklang bringt.

FAQ

Was ist die maximale Nennspannung dieses MOSFET?

Der Baustein ist für eine maximale Drain-zu-Source-Spannung von 80 Volt ausgelegt und eignet sich damit für Leistungsmanagementanwendungen im mittleren Spannungsbereich, bei denen eine zuverlässige Schaltleistung erforderlich ist.

Wie wirkt sich der Einschaltwiderstand auf die Effizienz des Systems aus?

Ein geringerer Durchlasswiderstand führt zu geringeren Leitungsverlusten im Betrieb, was die Gesamteffizienz des Systems verbessert und die Wärmeentwicklung reduziert, was kleinere Kühlkörper und kompaktere Designs ermöglicht.

Kann dieser MOSFET mit hohen Temperaturen in industriellen Umgebungen umgehen?

Ja, er unterstützt einen Betriebstemperaturbereich von 55 °C bis +175 °C und bietet damit auch unter rauen thermischen Bedingungen, wie sie in industriellen Anwendungen üblich sind, zuverlässige Leistung.

Welche Verpackungsart ist für dieses Gerät erhältlich?

Der MOSFET ist in einem TO-220-Gehäuse untergebracht, das eine einfache Montage und eine effektive Wärmeableitung für hohe Leistungen in der industriellen Leistungselektronik bietet.

Ist dieses Gerät für schnelle Schaltanwendungen geeignet?

Unbedingt. Mit einer Gesamt-Gate-Ladung von 60 nC unterstützt er schnelle Schaltgeschwindigkeiten, die die Schaltverluste minimieren und den Gesamtwirkungsgrad von Leistungswandlerschaltungen verbessern.